關(guān)鍵詞：嵌入式閃存 高壓 ate 自校準(zhǔn) 高效 

摘要：嵌入式閃存(Embedded Flash,EFlash)內(nèi)部高壓的準(zhǔn)確性對(duì)其讀取、編程和擦除的有效性至關(guān)重要.為了EFlash IP的高壓誤差盡可能小,電路預(yù)留了可調(diào)接口用于調(diào)整內(nèi)部高壓的數(shù)值.通過(guò)提出自動(dòng)檢測(cè)的算法和設(shè)計(jì)集自動(dòng)化檢測(cè)和校準(zhǔn)一體的自測(cè)電路,達(dá)到快速校準(zhǔn)高壓的目的.實(shí)驗(yàn)以一個(gè)2 M存儲(chǔ)容量的EFlash為對(duì)象,實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)時(shí)間從3 s到30 ms的減少.

微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)雜志要求:

{1}作者是指科研內(nèi)容的構(gòu)思，具體研究工作的執(zhí)行及撰稿執(zhí)筆等方面的主要貢獻(xiàn)人員，能夠?qū)φ撐牡闹饕獌?nèi)容負(fù)責(zé)答辯的人員，是論文的法定主權(quán)人和責(zé)任者。作者署名不宜過(guò)多，一般不超過(guò)8名。

{2}所投稿件要求觀點(diǎn)明確，論據(jù)可靠，層次分明，論述精練，語(yǔ)言準(zhǔn)確，符合規(guī)范。

{3}文題:力求簡(jiǎn)明，能夠準(zhǔn)確反映文章主題。中文文題一般不超過(guò)20個(gè)漢字，盡量不設(shè)副標(biāo)題、不用標(biāo)點(diǎn)符號(hào)、不使用縮略語(yǔ)，中英文題名含義應(yīng)一致。

{4}參考文獻(xiàn)，用于說(shuō)明文中引文的出處，一律放在文末。

{5}選用３~８?jìng)€(gè)詞或詞組反映論文的中心內(nèi)容，同時(shí)應(yīng)翻譯為相應(yīng)的英文關(guān)鍵詞。題名、作者姓名、作者單位、摘要、關(guān)鍵詞的英譯置于文末。

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