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FD-SOI:為5G和AIoT保駕護(hù)航——第七屆上海FD-SOI論壇在上海召開

黃友庚 不詳

關(guān)鍵詞:上海 半導(dǎo)體制造工藝 論壇 護(hù)航 5g 

摘要:FD-SOI作為一種特殊的半導(dǎo)體制造工藝,其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于:第一、能夠大大減小寄生電容,提高運(yùn)行速度,與硅材料相比,SOI器件的頻率提高了20%~35%;第二、降低了漏電,具有更低的功耗;第三、消除了閂鎖效應(yīng);第四、抑制了襯底的脈沖電流干擾,減少了軟錯(cuò)誤的發(fā)生;第五、與現(xiàn)有硅工藝兼容,可減少13%~ 20%的工序等。

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